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小信號(hào)開關(guān)二極管
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整流二極管快恢復(fù)二極管肖特基二極管

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小信號(hào)開關(guān)二極管
小信號(hào)肖特基二極管
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功率三極管

汽車電子小信號(hào)
小信號(hào)開關(guān)二極管小信號(hào)肖特基二極管小信號(hào)穩(wěn)壓管小信號(hào)三極管功率三極管小信號(hào)數(shù)字三極管

MOSFET

ALL MOSFET
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高壓MOSFET(500V-1000V)
SJ MOSFET SiC MOSFET Planner MOSFET

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N-Channel MOSFET P-Channel MOSFET

NP MOSFET(12V-300V)
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IGBT模塊
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整流模塊
快恢復(fù)模塊
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壓接晶閘管模塊
壓接晶閘管混合模塊

平板型分立器件

普通晶閘管
快速晶閘管
雙向晶閘管
普通整流管
快恢復(fù)整流管
焊接整流管

4/5寸晶圓

STD整流芯片
FRD芯片
EPI外延片
TVS芯片
HVB高壓模塊雪崩芯片
汽車電子芯片

6寸晶圓

TSBD芯片
PSBD芯片
FRED芯片
LBD芯片
PMBD芯片
ESD防護(hù)芯片

8寸晶圓

集成電路

負(fù)載開關(guān)
線性穩(wěn)壓器
并聯(lián)式電壓基準(zhǔn)
開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器

產(chǎn)品參照

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新品發(fā)布

整流橋設(shè)計(jì)優(yōu)化新封裝GBU-L

整流橋設(shè)計(jì)優(yōu)化新封裝GBU-L 返回

新產(chǎn)品宣告

產(chǎn)品介紹揚(yáng)杰科技近日推出了一款GBU-L設(shè)計(jì)優(yōu)化新封裝，對(duì)比原封裝GBU，優(yōu)化內(nèi)部結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，銅框架減薄創(chuàng)新，達(dá)到設(shè)計(jì)降本要求，但產(chǎn)品系性能(常規(guī)電性、高溫性能、散熱能力)與原先產(chǎn)品對(duì)比，無明顯差異；廣泛用于家電、照明、適配器電源、二輪電動(dòng)車充電器等市場(chǎng)。

產(chǎn)品特點(diǎn) 1、產(chǎn)品系列覆蓋 4A~15A，50-1000V；
2、采用創(chuàng)新式的減薄框架設(shè)計(jì)，減少銅材耗用，降低成本；
3、內(nèi)部結(jié)構(gòu)重新設(shè)計(jì)優(yōu)化，芯片排布更加科學(xué)，結(jié)構(gòu)應(yīng)力較小；
4、常規(guī)電性、高溫性能、散熱能力對(duì)比原先產(chǎn)品無明顯差異；

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